从介绍中可以看出，该专利提供了一种光刻装置，通过不断改变相干光形成的干涉图样，使得照明视场在曝光时间内的积累光强均匀化，从而达到匀光的目的，继而也就解决了相关技术中因相干光形成固定的干涉图样而无法匀光的问题。
由此可见，华为一直在努力解决芯片卡脖子问题，现在光刻机也成为了重点突破方向。
光刻技术是芯片制造工艺中最关键的一步，芯片技术之所以能在过去 60 年间，一步步从百微米发展到如今的 3nm，光刻机功不可没，没有光刻机，摩尔定律或许无法延伸到现在。
在芯片制造过程中，光刻机身处最前道（光刻机、刻蚀机、镀膜设备、量测设备、清洗机、离子注入机、其他设备），只有通过光刻机把掩膜版上的电路图转移到晶圆表面的抗蚀剂膜上，才能进行后续的化学显影、定影、清洗和检测等工序。
美国的工程师说过：仅仅是光刻机其中的一个小零件我都调了整整十年！荷兰 ASML 表示：我就算公开图纸，别人也造不出光刻机。
ASML 光刻机采用了多个国家的顶尖技术与硬件，由多家巨头公司共同合力研发，其内部零件数量多达 10 万个、4 万个螺栓、3000 根电线、2 公里短软管等等，整台机器重量高达 180 吨。是集合了全球多个科技强国的顶尖技术相互融合的结晶。
EUV 高端光刻机制造技术更是高度复杂，其中光学镜头、光源设备、是最为核心的。
高精密光学镜片是光刻机核心部件之一，高数值孔径的镜头决定光刻机分辨率以及套值误差能力，EUV 极紫外光刻机唯一可使用的镜头由卡尔蔡司生产；高性能光刻机需要体积小、功率高和稳定的光源，主流 EUV 光源为激光等离子光源（LPP），目前只有美国厂商 Cymer 和日本厂商 Gigaphoton 才能够生产。
所以，要想自己研发光刻机，不是几位科学家就能造出来的，还需要成千上万的优秀厂家提供零件和技术支撑。
这几年，美国一边禁售高端光刻机，一边向华为施加“芯片禁令”，然后又是组织“芯片四方联盟”围堵中国，现在又出台了“芯片法案”，想要限制中国芯片发展的同时，重新争夺更多的芯片产业链控制权。
自从华为被断供之后，外界一直希望华为在芯片领域能够有所突破，特别是参与到 EUV 光刻机的研发之中。那么，华为造光刻机这事能成吗？
尽管华为有足够的人才和资金储备，但单由华为来攻关，明显不太现实。好在，现在有国产替代的产业集群。